2028年基于GaN的電信基礎設施器件市場將超13億美元

  ICC訊（編譯：Nina）近日，Yole Intelligence發布了最新版本的RF GaN（射頻氮化鎵）報告。報告預測，RF GaN器件在電信基礎設施中的加速采用，以及GaN-on-Si（硅基氮化鎵）技術的新機遇，將驅動RF GaN器件市場在2028年達到27億美元。

  電信和國防是RF GaN的主要市場驅動力

  在電信基礎設施中，GaN以其高功率和高頻性能優勢滲透到了各種基站中。隨著宏/微蜂窩從RRH（射頻拉遠頭）向AAS（有源天線系統）的過渡，Massive MIMO需要每個基站更多的PA單元。與LDMOS（橫向擴散金屬氧化物半導體）相比，在3GHz以上的頻率下具有更高的PAE和更寬的頻帶能力是GaN發展的機會。到2028年，基于GaN的電信基礎設施器件市場預計將超過13億美元，占總市場的近45%。

  作為傳統的GaN市場，國防領域是GaN RF的主要驅動力之一。GaN-on-SiC（碳化硅基氮化鎵）仍然是在國防雷達、電子戰和國防通信應用中提供苛刻應用的主要平臺。

  三大供應商穩定增長 恩智浦進入電信行業獲得高收入

  截至2023年，由于供應鏈已經發展良好，GaN-on-SiC仍然是RF GaN的主要平臺。然而，綜合國防制造商(Integrated Defense Manufacturer，IDM)是首選的商業模式，因為IDM可以從他們在電信和國防市場的現有客戶渠道中受益。

  2022年，SEDI、Qorvo和Wolfspeed在RF GaN器件業務中處于領先地位，而恩智浦(NXP)通過進入電信市場的供應鏈獲得了顯著增長。S.I.SiC晶圓市場仍由Wolfspeed、Coherent和SICC三大供應商共享。在國防領域，雷神公司(Raytheon)、諾斯羅普·格魯曼公司(Northrop Grumman)和中國電科公司(Chinese CETC)在GaN的采用方面處于領先地位。Wolfspeed和Qorvo也是GaN的鑄造廠。愛立信和諾基亞專注于電信市場的供應，繼續從多家供應商那里擴大RF GaN器件的供應，而三星則與韓國供應商密切合作。自美國制裁以來，華為和中興已轉向中國供應鏈，以發展國內能力。

  電信業的新機遇為RF GaN-on-Si打開了大門

  截至2023年，主流的GaN技術是在SiC襯底上。該技術已經成熟，并在高功率和高頻率下表現出良好的性能。在過去幾年中，意法半導體(STMicroelectronics)、MACOM、Ommic、英飛凌(Infineon)以及GlobalFoundries、聯華電子(UMC)等玩家一直致力于引入RF GaN-on-Si技術。由于電信小蜂窩(Small Cell)需要更低功耗的PA, GaN-on-Si可以在10W以下的32T32R 64T64R mMIMO基站中找到最佳點。Yole Intelligence預計，從2023年底開始，GaN-on-Si將進入市場，并在未來幾年占據市場份額。

  隨著技術節點的發展，為Ku/K/Ka頻段開發平臺的廠商甚至瞄準了0.1μm以下的節點，用于sub-Thz頻率和未來潛在的6G市場。新興的用于RF應用的GaN-on-Si平臺的目標是在低功率水平下利用效率和寬帶寬實現低于6GHz的小蜂窩。然而，考慮到改變手機系統設計的復雜性，這是GaN-on-Si的長期目標市場。